联和资本完成对安建半导体的投资

作者： 联和资本 2022-03-31

宁波安建半导体有限公司（下称“安建半导体”）已于近日获超亿元B轮融资，本轮融资由超越摩尔投资领投，弘鼎资本、联和资本、龙鼎投资、君盛投资和金建诚投资跟投。募集资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系列产品开发、第三代半导体SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。

安建半导体对标的正是全球前八名的功率半导体企业，其专注于半导体功率器件的研发、设计和销售，是赋能高端芯片国产化的企业之一。功率半导体是电力设备的核心器件，其主要作用是为电力系统提供变频、变压、变流、电机推动和功率管理等功能。因此，所有的电力设备都需要用到半导体功率器件。目前，MOS管和IGBT是应用最广泛的功率器件，占比90%以上。这两者也是安建半导体的主要业务。

其中，MOS管是基础功率器件的一种升级形式。最早的功率器件是三极管，原理是当基极与发射极为正时导通，反之截止¹；MOS管是人们在三极管基础上的进一步发明，其特殊的结构能够实现高开关频率，但击穿电压²高会增加阻抗，造成较大的损耗；IGBT则更进一步的中和了MOS管和双极管的性能特性，其可使用的功率范围更宽，可以在MOS管不适用的大电压和大电流场景中使用，但在频率上略有牺牲。

资料来源：方正证券研究所

安建半导体创始人单建安表示，这样的选择是因为安建半导体成立之初资金并不充裕，这款产品向市场展示了安建半导体的技术实力。彼时和安建半导体合作的晶圆厂尽管还未达到世界最顶尖的水平，但安建半导体凭借制造端较低的技术节点，产品性能就能够媲美国外知名芯片大厂。

产品推出以后，很多大型企业选择将安建半导体作为合作伙伴，产品力也为安建半导体后续融资打下了基础。

我司投资总监叶振彪表示，功率器件是电力电子设备的心脏，单建安教授组建的安建团队是国内少数从先进功率芯片进行正向研发，从而涉足功率器件以及功率模组业务的优秀公司。

目前安建半导体的产品线已经涵盖大部分MOS管和IGBT产品，其中已有三条产品线实现量产，分别是低电压的SGT-MOS管（屏蔽栅金属氧化物场效应晶体管）、高电压的SJ-MOS管（超结金属氧化物场效应晶体管）、Field Stop Trench IGBT（场截止沟槽型绝缘栅双极晶体管），产品均具有高性能高可靠性。

安建半导体供图

未来，安建半导体还将针对不同应用场景还将继续开发不同性能和不同规格的产品，实现功率器件所有电压和电流全覆盖，完成做全系列高低压MOS管和IGBT产品的目标。